0~50V 0~5000A Поликристален силиконов захранващ източник Показано изображение

0~50V 0~5000A Поликристален силиконов захранващ блок

Описание на продукта:

Спецификации:

Входни параметри: 3 фази, AC480V±10%, 60HZ

Изходни параметри: DC 0~50V 0~5000A

Изходен режим: Общ DC изход

Метод на охлаждане: въздушно охлаждане/водно охлаждане

Тип захранване: базирано на IGBT

Индустрия на приложение: Поликристален силиций, намаляване на налягането в пещта и намаляване, растеж на кристали

Размер на продукта: 87*82.5*196см

Собствено тегло: 460 кг

Изпратете имейл до нас

Спецификация
Тип кран	Смесители за мивка за баня,
Тип инсталация	център,
Монтажни отвори	една дупка,
Брой дръжки	Единична дръжка,
Завършете	Ti-PVD,
стил	държава,
Скорост на потока	1,5 GPM (5,7 L/min) макс.
Тип клапан	керамичен вентил,
Превключвател за студено и горещо	да
Размери
Обща височина	240 мм (9,5 "),
Височина на чучура	155 мм (6,1 "),
Дължина на чучура	160 мм (6,3 "),
Кран център	Единична дупка,
Материал
Материал на тялото на крана	месинг,
Материал на чучура на крана	месинг,
Материал на дръжката на крана	месинг,
Информация за аксесоарите
Клапан включен	да
Включен дренаж	не
Тежести
Нетно тегло (кг)	0,99,
Транспортно тегло (кг)	1.17,

функция

Входни параметри

AC вход 480v±10% 3 фази
Изходни параметри

DC 0~50V 0~5000A непрекъснато регулируем
Изходна мощност

250KW
Метод на охлаждане

принудително въздушно охлаждане / водно охлаждане
Аналогов PLC

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Интерфейс

RS485/ RS232
Режим на управление

дизайн на дистанционно управление
Дисплей на екрана

цифров дисплей
Множество защити

липса на фаза прегряване свръхнапрежение свръхток късо съединение
Контролен начин

PLC/ Микроконтролер

Модел и данни

Номер на модела	Изходна пулсация	Текуща прецизност на дисплея	Прецизност на дисплея на волта	CC/CV прецизност	Рампа нагоре и рампа надолу	Престрелка
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Продуктови приложения

Полисилиций е форма на елементарен силиций. Когато разтопеният елементарен силиций се втвърди при условия на преохлаждане, силициевите атоми се подреждат в множество кристални ядра под формата на диамантена решетка. Ако тези кристални ядра растат в зърна с различна ориентация на кристалната равнина, тогава тези зърна се комбинират, за да кристализират в поликристален силиций.